简介：

AZ P4620是超厚膜，高对比度，高感光度G线标准正型光刻胶，适用于半导体制造及GMR磁头制造。

特征：

1）高对比度，高感光度

2）高附着性，对电镀工艺高耐受性

3）多种粘度可供选择

        AZ P4000系列光刻胶根据粘度不同，划分为以下型号。其中AZ P4620是常用型号。

参考工艺条件：

前烘 ：100℃ 90秒以上 (DHP)

曝光 ：G线步进式曝光机/接触式曝光系统

显影 ：AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒

清洗 ：去离子水

后烘 ：120℃ 60秒以上

    剥离 ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

匀胶曲线：

成像参考：