简介：

AZ 5214E推荐应用于Lift-off工艺图形，是一种高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶，特别为lift-off工艺优化。

特征：

1）适用于高分辨率工艺(lift-off工艺)

2） 适用于正/负图形

3）很宽的膜厚范围

参考工艺条件：

前烘 ：100℃ 60秒 (DHP)

曝光 ：I线步进式曝光机/接触式曝光机

反转烘烤 ：110~125℃ 90秒 (DHP):去离子水30秒

全面曝光 ：310~405nm (在曝光光源下全面照射)

显影  ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 30~60秒Puddle

：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping

：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping

清洗 ：去离子水30秒

后烘 ：120℃ 120秒 (DHP)

剥离 ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

   匀胶曲线：

   成像参考：