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Cchip-0019高深宽比紫外光刻机

  • 微流控芯片的设计结构一般深宽比较大,针对微流控芯片这一特点,中芯启恒自主研发生产了Cchip-0019适用于高深宽比工艺的光刻机。该设备采用目前最先进的LED光源,紫外波长365nm,光源纯度高,辐射能量均一可调...
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产品名称:高深宽比紫外光刻机(曝光机)

产品型号:Cchip-0019

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高深宽比紫外光刻机简介:

微流控芯片的设计结构一般深宽比较大,针对微流控芯片这一特点,中芯启恒自主研发生产Cchip-0019适用于高深宽比工艺的光刻机。该设备采用目前先进的LED光源,紫外波长365nm光源纯度高,辐射能量均一可调设备配有智能化触摸屏操作面板外观比较传统光刻机体积更小,集成化度高,不仅简化操作流程,还进一步提高工艺效率。

不仅如此,我们对曝光系统进行优化,将曝光过程中最大衍射误差降到极限保证图案设计值与实际值一致,从而为芯片制作保驾护航。

以下是客户实测图片,结构高度92um,间距20um,请参考!


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中芯启恒提供一站式微流控解决方案

(1)PDMS/玻璃/PMMA等各种材质微流控芯片加工设备、耗材、试剂、配件等服务。

(2)提供微流控芯片光刻实验室、微流控芯片软注塑实验室、微流控芯片封合实验室、微流控实验系统平台组建服务。

(3)公司提供微流控芯片加工技术培训和微流控芯片使用技术培训。


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1. 技术参数:

1曝光面积:110mm×110mm

2曝光波长:365nm 40mW/cm2

3)分辨力:0.8um

4对准采用双视场对准显微镜:通过CCD+显示器对准,光学合像,光学+电子放大400

5显微镜扫描范围:X±50mmY±20mm

6对准精度: ±0.5um

7掩模尺寸:3英寸、4英寸、5英寸

8样片尺寸:2英寸、3英寸、4英寸;厚度0.1mm--5mm

9曝光方式:定时(倒计时方式)

10照明不均匀性:2% f100mm范围)

11掩模相对于样片运动行程:X: ±5mm; Y: ±5mm; q: ±6

12曝光光源:紫外LED

13曝光强度:40mW

14最大胶厚:350 um

15光源平行性:<1.8°

16曝光头在曝光启动时,水平方向自动伸出,曝光结束后,水平方向自动缩回

17采用4.6英寸高灵敏度触碰式液晶屏,可直接设置曝光参数,无需鼠标和键盘

18掩膜夹和承片台采用采用推拉式基准平板、真空吸附的方式,方便快捷,工作效率高

        19)外形尺寸:900mm(长)900mm() 800mm(高)


特别说明:

1中芯启恒自主研发,拥有专利技术

2质保壹年,性价比高,质量稳定

3可接受样品测试申请


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